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  • 热门关键词: 氮化硅结合碳化硅,氮化硅保护管,氮化硅坩埚,氮化硅异型件
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      72020-9

      氮化硅结合碳化硅不同部位用砖的结构分析 氮化硅结合碳化硅使用6年后过梁砖不同部位用砖的显微结构照片。风道侧和炉腔侧用砖无论是SiC颗粒还是基质都有严重氧化迹象,且SiC颗粒表面有明显的氧化变质层,基质部分有SiO2析晶形成的方石英,且能谱分析未能检测到N元素。所不同的是:在风道侧用砖内,SiC颗粒和氧化变质层有明显的分离,基质开裂严重且较为疏松,另外可明显看到颗粒表面有连续成片的孔洞,应该是SiO2高温分解留下的痕迹;而炉腔侧用砖的S...

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      282020-8

      氮化硅结合碳化硅热电偶保护管有哪些特点呢? 热浸镀锌温度是热镀锌最重要的工艺参数,锌温的控制是动态的过程,直接影响到镀件质量、锌耗、能耗和锌锅使用寿命。常用锌液测温热电偶保护管一般为低碳钢或不锈钢钢管,在锌液中腐蚀严重,热镀企业为了防止热电偶保护管腐蚀,不得不在热电偶保护管外面加装套管进行保护。 ff 传统的非金属热电偶保护管有石英、刚玉和二氧化硅结合的碳化硅、氮化硅结合的碳化硅和重结晶碳化硅,石英、刚玉测温管一般用于实验室中短时间...

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      102020-8

      氮化硅结合碳化硅的抗金属熔液渗透试验 碳化硅等非氧化物材质具有较好的抗金属熔液渗透的性能,但由于铝酸盐水泥和其它成份的加入是否影响抗金属熔液渗透的性能,针对该问题我们对该耐火材料也进行了抗金属熔液渗透试验。8P% 和铝酸盐水泥加上量为 2a%。 結果 :第一,加上氮化硅和SiO2硅微粉原料后,在高温下造成Si2N2O一部分角砾层相,从而提高了浇注料的抗拉强度、耐磨损性能,此外因为氮化硅具有很好的抗金属渗透性能,因此也提高了该浇注料的...

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      282020-7

      氮化硅结合碳化硅陶瓷喷嘴的用途 陶瓷喷嘴自1998年国家开展碧水蓝天计划后,国家制定了一系列废气排放标准来控制SOx硫化物,NOx氮化物的排放,因为这些都是酸性气体,遇水会有很强的腐蚀性,所以一般金属材料的喷嘴已经不可能满足工艺要求,这时碳化硅喷嘴填补了领域空白。另一个原因是,湿法脱硫过程中使用的石灰浆有很强的冲蚀作用,而碳化硅材料及其耐磨蚀,所以碳化硅喷嘴是脱硫喷嘴首选产品。陶瓷喷嘴自上个世纪九时年代引入中国以来,不断的改进...

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      202020-7

      氮化硅的四大应用领域 碳化硅做为脱氧剂非常合适钢水包中增硅脱氨实际效果极好,是生铁/铸钢件增硅脱氨商品的最好辅材,比基本粒度分布脱氧剂实际效果更优,更绿色环保,再用冶炼厂锻造时,能够彻底取代硅铁,大幅度降低铸钢件成本费,提升公司经济效益。 “碳化硅关键有四大主要用途,即:作用瓷器、高級耐火保温材料、耐磨材料及冶金原材料。碳化硅粗饲料已能很多供货,不可以算高新科技商品,而科技含量极高 的纳米碳化硅粉体设备的运用短期内不...

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      132020-7

      6年后的氮化硅结合碳化硅过梁砖是怎样的? 用氮化硅结合碳化硅过梁砖时在不同部位用砖的结构也是需要一定的分析,今天小编就说一点那就是使用6年后的氮化硅结合碳化硅过梁砖,经过采样发现不同部位的XRD图谱。过梁砖风道侧和炉腔侧用砖均遭受严重氧化,生成了5%~10%(w)的方石英,以及相对少量的石英和鳞石英;中心部位的氧化相对较弱,保留了大量的α-Si3 N4,仅生成约5%(w)的方石英。可见,过梁砖两侧受环境气氛的影响更为明显,主要为氧化侵蚀...

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      62020-7

      氮化硅陶瓷制品是如何生产出来的呢? 反应烧结法和热压烧结法是氮化硅陶瓷制品的生产的两种基本方法。反应烧结法是将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生产方法成型。然后在氮化炉内,在1150~1200℃预氮化,获得一定强度后,可在机床上进行机械加工,接着在1350~1450℃进一步氮化18~36h,直到全部变为氮化硅为止。这样制得的产品尺寸精确,体积稳定。热压烧结法则是将氮化硅粉与少量添加剂(如MgO、Al2O3、MgF2、Al...

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      292020-6

      氮化硅结合碳化硅中的原材料都是什么成份? 首先介绍一下氮化硅,氮化硅,分子式为si3n4,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。其次介绍一下成份之一碳化硅 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物,硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体,外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。硬度挨近金刚石,热安稳性好,对氢氟酸水溶液和浓硫酸安...

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      172020-6

      氮化硅结合碳化硅作为原砖和不同使用年限 氮化硅结合碳化硅作为原砖和不同使用年限后过梁炉腔侧用砖的显微结构照片。与原砖相比,使用后过梁砖炉腔侧基质内原有的柱状和纤维状的形貌均已消失,根据XRD分析推测应该是被大量氧化了,而残余的氮化硅形貌被氧化产物所包裹或覆盖;2年和6年用后的材料基质内均可见大量方石英的析出,而6年用后材料的基质内可以清楚地看到大量裂纹的生成,这主要是SiO2各晶型的转变导致膨胀系数不匹配以及炉内温度、气氛的波动引起的...

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      92020-6

      氮化硅结合碳化硅作为过梁砖的使用的不同表现 氮化硅结合碳化硅作为过梁砖在使用2年和6年后炉腔侧用砖的XRD图谱。可以看出,使用2年和6年后,氮化硅结合碳化硅中的α-Si3 N4已完全被氧化而形成了大量的方石英。使用6年的残砖中除了有大量方石英,还生成了较多的鳞石英和石英。说明随着使用时间的延长,过梁砖的氧化更严重,SiO2的多晶型转变也更明显,这可能严重破坏材料内部的结合体系,导致材料强度明显下降。 淄博祥峰陶瓷科技有限公司专业...

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      22020-6

      经使用数年的氮化硅结合碳化硅砖的理性分析 随着使用时间的延长,氮化硅结合碳化硅砖的体积密度不断下降,使用6年后的过梁砖不同部位用砖的物理性能对后,体积密度的大小顺序为:中心部位>炉腔侧>风道侧,与之相对应的显气孔率为:中心部位<炉腔侧<风道侧;常温抗折强度的大小顺序为:中心部位>炉腔侧>风道侧。这说明,斜道区内不同位置的工况环境不尽相同,导致过梁砖不同部位的物理化学变化也不同。其中风道侧的砖体劣化最为严重,中心部位由于受环境影响较小,劣...

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      262020-5

      干熄焦炉斜道区用后2年和6年的氮化硅结合碳化硅过梁砖的比较 我们比较了干熄焦炉斜道区用后2年和6年的氮化硅结合碳化硅过梁砖及其原砖的体积密度、显气孔率、常温抗折强度及化学组成变化,原砖和使用2年、6年的过梁砖炉腔侧用砖的物理性能对比如表1所示。从中可见:随着使用时间的延长,氮化硅结合碳化硅砖的体积密度不断下降,使用2年后和6年后的分别降低了2.7%和5.3%,说明材料用后有体积膨胀或质量损失;而显气孔率分别降低了22.6%和19.2%,未升反降,说明有反...

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      182020-5

      利用氮化硅结合碳化硅对干熄焦炉进行试验 我们利用氮化硅结合碳化硅对干熄焦炉进行试验,与传统湿熄焦相比,干熄过程具有大幅减少环境污染,充分利用红焦显热,提高焦炭品质等优点,而且所生产的焦炭在高炉上使用能有效提高高炉的效益,因此干熄焦炉是近年来国家鼓励发展及推广的节能环保设备。但我国干熄焦炉的运行寿命普遍偏低,通常需要一年小修、三年中修、五年大修,严重影响了其能效发挥。斜道区是干熄焦炉内最为关键和最易损毁的部位,该部位耐火材料的服役状况将...

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      112020-5

      氮化硅结合碳化硅复合材料的氮化烧成方法 通过利用对窑炉控制进行氮化硅结合碳化硅复合材料的氮化烧成方法总结一下几点: 1)氮化硅结合碳化硅复合材料在氮化烧成时,制品由表及里存在N2和反应生成物的浓度梯度,它们的方向相同。 2)氮化硅结合碳化硅复合材料在氮化烧成中,炉内N2的消耗量与温度形成一种表面平衡状态,但实质上是硅被不断氮化的连续过程。 3)通过对窑炉内氮分压的控制来实施对窑炉升温的控制,也就对氮化反应速度实施了控制,从而避免了...

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      272020-4

      氮化硅结合碳化硅复合材料烧成的几点 氮化硅结合碳化硅复合材料烧成有以下几点: 1.氮化硅结合碳化硅复合材料在氮化烧成时,制品由表及里存在N2和反应生成物的浓度梯度,它们的方向相同。 2.氮化硅结合碳化硅复合材料在氮化烧成中,炉内N2的消耗量与温度形成一种表面平衡状态,但实质上是硅被不断氮化的连续过程。 3.通过对窑炉内氮分压的控制来实施对窑炉升温的控制,也就对氮化反应速度实施了控制,从而避免了烧成中的微观结构缺陷,能够制得由外...

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      202020-4

      氮化硅结合碳化硅的氮压控制烧成讲述 今天我们讲的是氮化硅结合碳化硅的氮压控制烧成,所谓氮压控制烧成就是氮化硅结合碳化硅制品在窑炉中氮化烧成时,表现为:在微观上是不断进行的氮与硅的反应,达到一种动态平衡;在宏观上是以氮分压,也就是由窑炉内的N2的消耗量和炉压来控制和检验氮化率,它决定了升温速度。在氮压控制烧成中,不需要规定严格的升温制度,而是预先设定标准炉压,再根据炉压变化来调整氮化工艺参数。氮化开始时,在一定时间间隔内,如果实测炉...

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      132020-4

      氮化硅结合碳化硅在氮化烧结环境下的总结 氮化烧结过程是氮化硅结合碳化硅及其复合材料生产的技术关键,经过对氮化硅结合碳化硅生成机理的研究,我们确定了产品烧成制度中的氮压控制烧成工艺方法。从上述的机理表述中我们知道氮化硅结合碳化硅生成过程是一个放热反应过程,如果单纯从窑炉的外显温度控制,就可能在某一温度点使Si融化而堵塞向制品深层氮化的通道,加大了由表及里的氮化率梯度,所以我们通过对窑炉内氮气分压的控制,来实现对反应速度的控制,可以得...

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      72020-4

      氮化硅结合碳化硅的氮化烧结过程有那几点 氮化硅结合碳化硅在氮化烧结的主要影响因素是氮化反应的时间,而两级保温之间的温度大小和氮化烧结最终温度的高低使这两个因子对试样增重率的影响相对较大。我们通过正交试验结果的分析可以归纳出在氮化硅结合碳化硅材料的氮化烧结过程中:1.适当提高反应起始温度,加速初始氮化反应,不会造成“流硅”现象。2.在反应中温区,可适当加大两级保温之间的温差,加速中温区的反应速率。3.最高烧成温度可在较大的范围内波动...

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      302020-3

      氮化硅结合碳化硅在氮化烧结环境下的反应 氮化硅结合碳化硅在氮化烧结环境下,最新的研究认为在烧成反应中存在着间接反应和直接反应。在反应中作为反应的参与者,N2的分压起着极为重要的作用,但不论氮分压的大小如何,只要生产Si3N4,那么在坯体内就存在着N2的浓度梯度和生成Si3N4的浓度梯度,而且这种浓度梯度的方向是相同的,越是接近坯体表面其两个组分的浓度越高。要想反应不断向坯体内部推进就必须确保合适的氮分压和反应温度。在纯Si3N4...

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      232020-3

      氮化硅结合碳化硅的反应机理 我们通过氮化硅结合碳化硅的反应热力学方程式分析可以看出,SiO和N2的反应是容易进行的。由于是气与气反应,反应动力学上也同样容易进行,所以SiO与N2反应生成Si3N4的速度必然很快。反应生成Si3N4后放出O2再与Si反应生成SiO,这一反应过程反复进行,促成大量Si3N4生成并以纤维状存在于SiC颗粒间界。综合以上分析可以看出,Si3N4-SiC复合材料中,存在间接反应和直接反应,间接反...

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